Publicado

2012-09-01

EFECTOS ESTRUCTURALES EN EL SEMICONDUCTOR INSB, POR LA APLICACIÓN DE DIFERENTES MÉTODOS DE PRESIÓN

Palabras clave:

Raman, presión, indentación, Insb, transformación estructural de fase. (es)

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Autores/as

  • MIRYAM RINCON JOYA Universidad Nacional de Colombia –Bogotá
  • JOSE J. BARBA Universidad Nacional de Colombia –Bogotá
  • PAULO S. PIZANI Universidade Federal de São Carlos, SP, Brasil
En este trabajo se estudia las modificaciones sufridas por el antimoneto de indio (InSb), crecido en la dirección [100], cuando es sometido a testes de micro-indentación mecánica, altas presiones hidrostáticas y presión por impacto. Los estudios topográficos y tomográficos de las muestras fueron hechos por medio de espectroscopia micro-Raman con diferentes longitudes de onda de la luz de excitación. El corrimiento de la posición de los fonones y el surgimiento de nuevos picos Raman permite el análisis tanto químico como estructural del sistema en estudio.

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