ESTUDIO ESTRUCTURAL DE SEMICONDUCTORES USADOS EN APLICACIONES FOTOVOLTAICAS

STRUCTURAL STUDY OF SEMICONDUCTORS FOR PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS

Se presenta un estudio de las propiedades estructurales de los semiconductores Bi₂S₃, SnS, SnS₂, SnS:Bi, Cu₃BiS₃ y Cu(In,Ga)Se₂ (CIGS) usados como capa absorbente en dispositivos optoelectrónicos. Todas las muestras fueron crecidas por procesos de co-evaporación de sus especies metálicas sobre sustratos de vidrio. El efecto de las condiciones de preparación sobre las propiedades estructurales y composición química han sido analizados y obtenidos a partir de difracción de rayos-X (XRD) y espectroscopia de electrones Auger (AES). Los resultados revelan que todos los compuestos crecen con estructura ortorrómbica, a diferencia del SnS₂ y el CIGS, que crecen con estructura hexagonal y tetragonal, respectivamente. Los resultados composicionales revelaron que a partir de la deconvolución de sus picos se encontraron fases asociadas a Cu₂Se y In₂Se₃

We present a study of the structural properties of Bi₂S₃, SnS, SnS₂, SnS:Bi, Cu₃BiS₃ and Cu(In,Ga)Se₂ (CIGS) semiconductor compounds used as absorber layer in optoelectronic devices. The samples were grown by co-evaporation processes of the metallic species on glass substrates. The effect of preparation conditions on the structural properties and chemical composition has been analyzed and made from X-ray diffraction (XRD) and Auger electron spectroscopy (AES) measurements. The results show that all compounds grow with orthorhombic structure, unlike the SnS₂ and CIGS growing hexagonal and tetragonal structure, respectively. The compositional results showed that after the deconvolution of peaks associated phases Cu₂Se and In₂Se₃ were found.