PROPIEDADES FÍSICAS DE PARTÍCULAS DE InN OBTENIDAS POR PULVERIZACIÓN CATÓDICA RF ASISTIDA POR CAMPO MAGNÉTICO
PHYSICAL PROPERTIES OF InN PARTICLES OBTAINED BY RF MAGNETRON SPUTTERING
Keywords:
Nitruro de Indio, Magnetrón sputtering, Espectroscopía Raman (es)Indium Nitride, Magnetron sputtering, Raman Spectroscopy (en)
Capas de InN fueron preparadas por pulverización catódica asistida por campo magnético, en una atmosfera mixta de argón y nitrógeno sobre substratos de Si(100), Si(111) y vidrio. La temperatura del substrato Ts se varió (300-500 oC) con el fin de correlacionarla con las propiedades ópticas, estructurales y morfológicas de las capas. Los resultados rayos-X permitieron revelar la presencia de InN hexagonal tipo wurtzita en cada una de las capas, además de óxidos de indio (InxOy) atribuidos a diferentes factores. Se evidenció una dependencia en la calidad cristalina de cada una de las capas en función de Ts. El coeficiente de absorción óptica y el ancho de banda fueron determinados a partir de los espectros de absorbancia y transmitancia obtenidos por UV/Vis. Modos vibraciones asociados al semiconductor InN y InxOy fueron identificados por microscopia Raman. La morfología de las capas y el tamaño de grano fue analizado a partir de micrografías SEM donde se logró determinar la formación de macropartículas ~ 0.5 mm y nanopartículas ~ 50 nm de diferentes geometrías.
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